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鍺單晶生長
作者:admin 來源:本站原創 日期:2015-08-10 瀏覽:2456次 字體: [] [] []

    鍺單晶生長

   公司采用先進的國外設備,和十余年的晶體制備工藝技術,進行紅外光學級光電級鍺單晶的生產。年產鍺單晶25t,硅單晶5t。可生產:一、電子級鍺單晶:電阻率范圍0.25~50Ωcm,電阻率不均勻度<15%,晶向(111),晶向偏離<2o,位錯密度1000~3500個/cm2。

    少數載流子壽命>150微秒。電子級鍺單晶主要用于制作鍺晶體管,由于鍺的電子和空穴遷移率較硅高,在高速開關電路方面,鍺的性能遠好于硅。 



    二、光學級鍺單晶:導電型號N,摻雜劑Sb,電阻率范圍10~30Ωcm,直徑Φ8~250mm,透射波長范圍2~14μm,透過率(d=2mm未鍍膜)=46~47%,吸收系數<0.02/cm。它的特殊能帶結構所確定的電子-光子和光子-聲子作用導致鍺對紅外輻射有較寬闊的光學透射范圍,在3~5mm和8~14mm波長兩個紅外大氣窗口具有優良的透過性能。現可根據不同要求,拉制最大直徑達300mm的鍺單晶。





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